आदर्शाची निवडलेझर स्रोत: एज एमिशनसेमीकंडक्टर लेझरभाग दोन
४. एज-एमिशन सेमीकंडक्टर लेझर्सच्या वापराची सद्यस्थिती
त्याच्या विस्तृत तरंगलांबी श्रेणी आणि उच्च शक्तीमुळे, एज-एमिटिंग सेमीकंडक्टर लेझर्सचा वापर ऑटोमोटिव्ह, ऑप्टिकल कम्युनिकेशन आणि अशा अनेक क्षेत्रांमध्ये यशस्वीरित्या केला गेला आहे.लेझरवैद्यकीय उपचार. आंतरराष्ट्रीय स्तरावर नावाजलेली बाजार संशोधन संस्था, योल डेव्हलपमेंटच्या मते, एज-टू-एमिट लेझर बाजारपेठ २०२७ मध्ये ७.४ अब्ज डॉलर्सपर्यंत वाढेल, ज्याचा चक्रवाढ वार्षिक वाढीचा दर १३% असेल. ही वाढ ऑप्टिकल कम्युनिकेशन्समुळे, जसे की ऑप्टिकल मॉड्यूल्स, अँम्प्लिफायर्स आणि डेटा कम्युनिकेशन्स व टेलिकम्युनिकेशन्ससाठी ३डी सेन्सिंग ॲप्लिकेशन्समुळे, पुढेही चालू राहील. वेगवेगळ्या ॲप्लिकेशनच्या गरजांसाठी, उद्योगात विविध ईईएल (EEL) संरचना डिझाइन योजना विकसित केल्या गेल्या आहेत, ज्यामध्ये यांचा समावेश आहे: फॅब्रिपेरो (FP) सेमीकंडक्टर लेझर्स, डिस्ट्रिब्युटेड ब्रॅग रिफ्लेक्टर (DBR) सेमीकंडक्टर लेझर्स, एक्सटर्नल कॅव्हिटी लेझर (ECL) सेमीकंडक्टर लेझर्स, डिस्ट्रिब्युटेड फीडबॅक सेमीकंडक्टर लेझर्स (डीएफबी लेझर) , क्वांटम कॅस्केड सेमीकंडक्टर लेझर्स (QCL), आणि वाइड एरिया लेझर डायोड्स (BALD).
ऑप्टिकल कम्युनिकेशन, 3D सेन्सिंग ॲप्लिकेशन्स आणि इतर क्षेत्रांमधील वाढत्या मागणीमुळे सेमीकंडक्टर लेझर्सची मागणीही वाढत आहे. याव्यतिरिक्त, एज-एमिटिंग सेमीकंडक्टर लेझर्स आणि व्हर्टिकल-कॅव्हिटी सरफेस-एमिटिंग सेमीकंडक्टर लेझर्स हे उदयोन्मुख ॲप्लिकेशन्समध्ये एकमेकांच्या उणिवा भरून काढण्यातही भूमिका बजावतात, जसे की:
(1) ऑप्टिकल कम्युनिकेशनच्या क्षेत्रात, 2 किमी ते 40 किमी ट्रान्समिशन अंतरावर आणि 40 Gbps पर्यंतच्या ट्रान्समिशन दरांवर 1550 nm InGaAsP/InP डिस्ट्रिब्युटेड फीडबॅक (DFB लेसर) EEL आणि 1300 nm InGaAsP/InGaP फॅब्री पेरो EEL सामान्यतः वापरले जातात. तथापि, 60 मीटर ते 300 मीटर ट्रान्समिशन अंतरावर आणि कमी ट्रान्समिशन गतीवर, 850 nm InGaAs आणि AlGaAs वर आधारित VCsels प्रबळ आहेत.
(2) व्हर्टिकल कॅव्हिटी सरफेस-एमिटिंग लेझर्समध्ये लहान आकार आणि अरुंद तरंगलांबीचे फायदे आहेत, त्यामुळे ते ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स बाजारात मोठ्या प्रमाणावर वापरले गेले आहेत, आणि एज एमिटिंग सेमीकंडक्टर लेझर्सचे ब्राइटनेस आणि पॉवरचे फायदे रिमोट सेन्सिंग ऍप्लिकेशन्स आणि उच्च-शक्ती प्रक्रियेसाठी मार्ग मोकळा करतात.
(3) ब्लाइंड स्पॉट डिटेक्शन आणि लेन डिपार्चर सारखे विशिष्ट अनुप्रयोग साध्य करण्यासाठी शॉर्ट आणि मीडियम-रेंज liDAR साठी एज-एमिटिंग सेमीकंडक्टर लेझर आणि व्हर्टिकल कॅव्हिटी सरफेस-एमिटिंग सेमीकंडक्टर लेझर दोन्ही वापरले जाऊ शकतात.
५. भविष्यातील विकास
एज एमिटिंग सेमीकंडक्टर लेझरमध्ये उच्च विश्वसनीयता, लघुकरण आणि उच्च प्रकाशमान शक्ती घनता हे फायदे आहेत आणि ऑप्टिकल कम्युनिकेशन, लिडार, वैद्यकीय आणि इतर क्षेत्रांमध्ये त्याला व्यापक अनुप्रयोग संधी आहेत. तथापि, एज-एमिटिंग सेमीकंडक्टर लेझरची उत्पादन प्रक्रिया तुलनेने परिपक्व झाली असली तरी, औद्योगिक आणि ग्राहक बाजारपेठांची एज-एमिटिंग सेमीकंडक्टर लेझरची वाढती मागणी पूर्ण करण्यासाठी, त्याचे तंत्रज्ञान, प्रक्रिया, कार्यक्षमता आणि इतर पैलू सतत सुधारणे आवश्यक आहे, ज्यामध्ये खालील बाबींचा समावेश आहे: वेफरमधील दोषांची घनता कमी करणे; प्रक्रिया पद्धती कमी करणे; दोष निर्माण होण्याची शक्यता असलेल्या पारंपरिक ग्राइंडिंग व्हील आणि ब्लेड वेफर कटिंग प्रक्रियांना पर्याय म्हणून नवीन तंत्रज्ञान विकसित करणे; एज-एमिटिंग लेझरची कार्यक्षमता सुधारण्यासाठी एपिटॅक्सियल संरचनेला अनुकूल करणे; उत्पादन खर्च कमी करणे, इत्यादी. याव्यतिरिक्त, एज-एमिटिंग लेझरचा आउटपुट प्रकाश सेमीकंडक्टर लेझर चिपच्या बाजूच्या कडेवर असल्याने, लहान आकाराचे चिप पॅकेजिंग साध्य करणे कठीण आहे, त्यामुळे संबंधित पॅकेजिंग प्रक्रियेत अजूनही अधिक प्रगती करण्याची गरज आहे.
पोस्ट करण्याची वेळ: २२ जानेवारी २०२४





