ROF Si ॲडजस्टेबल गेन फोटोडिटेक्टर सिलिकॉन फोटोडिटेक्टर
वैशिष्ट्य
वर्णपटीय श्रेणी: ३२०nm~११००nm
l 3dB बँडविड्थ: 11MHz पर्यंत
l कमाल गेन सेटिंग: 4.75×106 V/A (उच्च-इम्पेडन्स लोड)
कमी आवाज
स्थानिक ऑप्टिकल कपलिंग इनपुट, फायबर कपलिंग ऐच्छिक
अर्ज
मंद प्रकाश ओळख
फायबर ऑप्टिक सेन्सिंग सिस्टम
अवकाश ऑप्टिकल संप्रेषण
ऑर्डर करण्याची माहिती
| मॉडेल पॅरामीटर | आरओएफ-पीआर-११एम-बी | आरओएफ-पीआर-१३एम-ए |
| प्रतिसाद वारंवारता | डीसी-११ मेगाहर्ट्झ | डीसी-१३ मेगाहर्ट्झ |
| प्रकार | सिलिकॉन (Si) | इंडियम गॅलियम आर्सेनाइड (InGaAs) |
| प्रकाशाची संवेदनशीलता १ | ३२० एनएम~११०० एनएम | ९०० एनएम~१७०० एनएम |
| प्रकाशसंवेदनशील क्षेत्र | Ø९.८ मिमी (७५.४ मिमी2 ) | Ø१.० मिमी (०.८ मिमी)2 ) |
टीप १: अंदाजित मूल्य; तरंगलांबीचे प्रत्यक्ष मूल्य वेगळे असू शकते.
पॅरामीटर्स
| कार्यप्रदर्शन तपशील 2 (केजी-पीआर-११एम-बी) | |||
| ० डेसिबल सेटिंग | ४० डेसिबल सेटिंग | ||
| लाभ (उच्च रोध > 5k Ω) | १.५० x १०3व्ही/ए ±२% | लाभ (उच्च रोध > 5k Ω) | १.५० x १०5व्ही/ए ±२% |
| गेन (५० ओहम) | ०.७५ x १०3व्ही/ए ±२% | गेन (५० ओहम) | ०.७५ x १०5व्ही/ए ±२% |
| ३डीबी बँडविड्थ ३ | ११ मेगाहर्ट्झ | ३डीबी बँडविड्थ | १५० हजार |
| आवाज (आरएमएस) | ४००uV | आवाज (आरएमएस) | ५००uV |
| पूर्वग्रह | ±८ मिलिव्होल्ट (सामान्यतः) ±२० मिलिव्होल्ट (कमाल) | पूर्वग्रह | ±८ मिलिव्होल्ट (सामान्यतः) ±२० मिलिव्होल्ट (कमाल) |
| १० डेसिबल सेटिंग | ५० डेसिबल सेटिंग | ||
| लाभ (उच्च रोध > 5k Ω) | ४.७५ x १०3व्ही/ए ±२% | लाभ (उच्च रोध > 5k Ω) | ४.७५ x १०5व्ही/ए ±२% |
| गेन (५० ओहम) | २.३८ x १०3व्ही/ए ±२% | गेन (५० ओहम) | २.३८ x १०5व्ही/ए ±२% |
| ३डीबी बँडविड्थ | १.४ मेगाहर्ट्झ | ३डीबी बँडविड्थ | ५० हजार |
| आवाज (आरएमएस) | ३५०uV | आवाज (आरएमएस) | ५२० यूव्ही |
| पूर्वग्रह | ±८ मिलिव्होल्ट (सामान्यतः) ±२० मिलिव्होल्ट (कमाल) | पूर्वग्रह | ±८ मिलिव्होल्ट (सामान्यतः) ±२० मिलिव्होल्ट (कमाल) |
| २० डेसिबल सेटिंग | ६० डेसिबल सेटिंग | ||
| लाभ (उच्च रोध > 5k Ω) | १.५० x १०4व्ही/ए ±२% | लाभ (उच्च रोध > 5k Ω) | १.५० x १०6व्ही/ए ±२% |
| गेन (५० ओहम) | ०.७५ x १०4व्ही/ए ±२% | गेन (५० ओहम) | ०.७५ x १०6व्ही/ए ±२% |
| ३डीबी बँडविड्थ | १.० मेगाहर्ट्झ | ३डीबी बँडविड्थ | २० हजार |
| आवाज (आरएमएस) | ३८०uV | आवाज (आरएमएस) | ७६० यूव्ही |
| पूर्वग्रह | ±८ मिलिव्होल्ट (सामान्यतः) ±२० मिलिव्होल्ट (कमाल) | पूर्वग्रह | ±८ मिलिव्होल्ट (सामान्यतः) ±२० मिलिव्होल्ट (कमाल) |
| ३० डेसिबल सेटिंग | ७० डेसिबल सेटिंग | ||
| लाभ (उच्च रोध > 5k Ω) | ४.७५ x १०4व्ही/ए ±२% | लाभ (उच्च रोध > 5k Ω) | ४.७५ x १०6व्ही/ए ±२% |
| गेन (५० ओहम) | २.३८ x १०4व्ही/ए ±२% | गेन (५० ओहम) | २.३८ x १०6व्ही/ए ±२% |
| ३डीबी बँडविड्थ | ४०० हजार | ३डीबी बँडविड्थ | १० हजार |
| आवाज (आरएमएस) | ३८०uV | आवाज (आरएमएस) | १.४३ मिलीव्होल्ट |
| पूर्वग्रह | ±८ मिलिव्होल्ट (सामान्यतः) ±२० मिलिव्होल्ट (कमाल) | पूर्वग्रह | ±८ मिलिव्होल्ट (सामान्यतः) ±२० मिलिव्होल्ट (कमाल) |
टीप २:आरओएफ-PR-11M-B मध्ये 50 Ω चा सिरीज टर्मिनेटिंग रेझिस्टर आहे (म्हणजे अँम्प्लिफायर आउटपुटच्या सिरीजमध्ये जोडलेला). यामुळे कोणत्याही लोड इम्पेडन्ससह व्होल्टेज डिव्हायडर तयार होतो (जसे की 50 Ω लोड सिग्नलला अर्ध्यामध्ये विभाजित करतो).
टीप ३: ८५०nm तरंगलांबीवर चाचणी करा. नियर-इन्फ्रारेड तरंगलांबीसाठी, फोटोडायोड घटकांचा राइज टाइम मंदावेल, ज्यामुळे ॲम्प्लिफिकेशन डिटेक्टरची प्रभावी बँडविड्थ मर्यादित होऊ शकते.
सामान्य मापदंड
| प्रकल्प | सिम् | मूल्य |
| डिटेक्टर प्रकार | - | Si |
| प्रकाशसंवेदनशील पृष्ठभाग | - | Ø९.८ मिमी (७५.४ मिमी2 ) |
| शिखर तरंगलांबी | λp | ९६० एनएम (सर्वसाधारण) |
| शिखर प्रतिसाद | Â( λ p) | ०.७२ ए/डब्ल्यू (सामान्यतः) |
| आउटपुट प्रतिबाधा | - | ५०Ω |
| कमाल आउटपुट करंट अॅम्प्लिट्यूड | आयमॅक्स | १०० मिलीअँपिअर |
| कमाल आउटपुट व्होल्टेज अॅम्प्लिट्यूड | व्हीमॅक्स | १०.००V @ उच्च प्रतिबाधा ५.००V@५० Ω लोड |
| लोड श्रेणी | - | >५० Ω |
| गेन समायोजनाची श्रेणी | - | ०dB~७०dB |
| पायरी मिळवा | - | १० डेसिबल |
| पॉवर स्विच | - | बाजू |
| गेन स्विच | - | आठवा गियर |
| आउटपुट | - | एसएमए (डीसी कपलिंग) |
| उत्पादनाचे परिमाण | - | ६६.६ मिमी * ५२.२ मिमी * २२.४ मिमी |
| पीडी पृष्ठभागाची खोली ४ | - | ६.१ मिमी |
| वजन (अॅक्सेसरीज वगळून) | - | ७० ग्रॅम |
| ॲक्सेसरीज | - | SM1T1 कपलिंग, SM1RR रिटेनिंग रिंग |
| वीज पुरवठा | - | एसी-डीसी ± 12V अडॅप्टर |
| वीज पुरवठा वॅटेज | - | ६ डब्ल्यू १००V/१२०V/२३०V, ५०-६० Hz |
टीप ४: हाउसिंग स्ट्रक्चरच्या पृष्ठभागापासून फोटोडायोडच्या पृष्ठभागापर्यंतच्या अंदाजे उंचीमुळे प्रत्यक्ष वापरात इन्स्टॉलेशनमध्ये चुका होऊ शकतात.
मर्यादित अट
| पॅरामीटर | सिम् | युनिट | किमान | ठराविक | मॅक्स |
| इनपुट ऑप्टिकल पॉवर | पिन | mW | - | - | 25 |
| कार्यरत व्होल्टेज | व्हॉप | V | ±१०.८ | ±१२ | ±१३.२ |
| कार्यरत तापमान | शीर्ष | ºC | -१० | - | 60 |
| साठवणुकीचे तापमान | टीएसटी | ºC | -४० | - | 85 |
| आर्द्रता | RH | % | 5 | - | 90 |
वक्र
वैशिष्ट्यपूर्ण वक्र
आरओएफ-पीआर-११एम-बी संवेदनशीलता प्रतिसाद आकृती
पॅकेजचा आकार (मिमी)
आमच्याबद्दल
रोफिया ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्समध्ये मॉड्युलेटर, फोटोडिटेक्टर, लेझर सोर्स, डीएफबी लेझर, ऑप्टिकल अँम्प्लिफायर, ईडीएफए, एसएलडी लेझर, क्यूपीएसके मॉड्युलेशन, पल्स्ड लेझर, फोटोडिटेक्टर, बॅलन्स्ड फोटोडिटेक्टर, सेमीकंडक्टर लेझर, लेझर ड्रायव्हर, फायबर कपलर, पल्स्ड लेझर, फायबर अँम्प्लिफायर, ऑप्टिकल पॉवर मीटर, ब्रॉडबँड लेझर, ट्यूनेबल लेझर, ऑप्टिकल डिले, इलेक्ट्रो-ऑप्टिक मॉड्युलेटर, फोटोडिटेक्टर, लेझर डायोड ड्रायव्हर, फायबर अँम्प्लिफायर, अर्बियम-डोप्ड फायबर अँम्प्लिफायर आणि सोर्स लेझर यांसारख्या इलेक्ट्रो-ऑप्टिक उत्पादनांची विस्तृत श्रेणी प्रदर्शित केली जाते.
आम्ही विद्यापीठे आणि संशोधन संस्थांसाठी खास डिझाइन केलेले कस्टम मॉड्युलेटर देखील पुरवतो, ज्यामध्ये 1*4 अॅरे फेज मॉड्युलेटर, अल्ट्रा-लो Vpi आणि अल्ट्रा-हाय एक्सटिंक्शन रेशो मॉड्युलेटर यांचा समावेश आहे.
या उत्पादनांमध्ये 40 GHz पर्यंत इलेक्ट्रो-ऑप्टिक बँडविड्थ, 780 nm ते 2000 nm पर्यंत तरंगलांबीची श्रेणी, कमी इन्सर्शन लॉस, कमी Vp आणि उच्च PER ही वैशिष्ट्ये आहेत, ज्यामुळे ती विविध ॲनालॉग RF लिंक्स आणि हाय-स्पीड कम्युनिकेशन ॲप्लिकेशन्ससाठी योग्य ठरतात.
रोफिया ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स व्यावसायिक इलेक्ट्रो-ऑप्टिक मॉड्युलेटर्स, फेज मॉड्युलेटर्स, इंटेन्सिटी मॉड्युलेटर, फोटोडिटेक्टर्स, लेझर लाईट सोर्सेस, डीएफबी लेझर्स, ऑप्टिकल अँम्प्लिफायर्स, ईडीएफए, एसएलडी लेझर, क्यूपीएसके मॉड्युलेशन, पल्स लेझर, लाईट डिटेक्टर, बॅलन्स्ड फोटोडिटेक्टर, लेझर ड्रायव्हर, फायबर ऑप्टिक अँम्प्लिफायर, ऑप्टिकल पॉवर मीटर, ब्रॉडबँड लेझर, ट्यूनेबल लेझर, ऑप्टिकल डिटेक्टर, लेझर डायोड ड्रायव्हर, फायबर अँम्प्लिफायर यांची उत्पादन श्रेणी सादर करते. आम्ही कस्टमायझेशनसाठी अनेक विशिष्ट मॉड्युलेटर्स देखील पुरवतो, जसे की १*४ अॅरे फेज मॉड्युलेटर्स, अल्ट्रा-लो व्हीपीआय (Vpi) आणि अल्ट्रा-हाय एक्सटिंक्शन रेशो मॉड्युलेटर्स, जे प्रामुख्याने विद्यापीठे आणि संस्थांमध्ये वापरले जातात.
आशा आहे की आमची उत्पादने तुम्हाला आणि तुमच्या संशोधनासाठी उपयुक्त ठरतील.
