पातळ आणि मऊ नवीन सेमीकंडक्टर पदार्थांचा वापर करून मायक्रो आणि नॅनो ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणे बनवता येतात.

पातळ आणि मऊ नवीन सेमीकंडक्टर सामग्रीचा वापर सूक्ष्म आणिनॅनो ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणे

गुणधर्म, केवळ काही नॅनोमीटरची जाडी, उत्तम ऑप्टिकल गुणधर्म… पत्रकाराला नानजिंग युनिव्हर्सिटी ऑफ टेक्नॉलॉजीकडून असे समजले की, विद्यापीठाच्या भौतिकशास्त्र विभागातील प्राध्यापकांच्या संशोधन गटाने एक अति-पातळ, उच्च-गुणवत्तेचा द्विमितीय लेड आयोडाइड क्रिस्टल तयार केला आहे आणि त्याच्या माध्यमातून द्विमितीय संक्रमण धातू सल्फाइड पदार्थांच्या ऑप्टिकल गुणधर्मांचे नियमन साध्य केले आहे, ज्यामुळे सौर पेशींच्या (solar cells) निर्मितीसाठी एक नवीन कल्पना मिळाली आहे.फोटोडिटेक्टरहे निकाल 'ॲडव्हान्स्ड मटेरियल्स' या आंतरराष्ट्रीय नियतकालिकाच्या ताज्या अंकात प्रकाशित झाले आहेत.

"आम्ही प्रथमच तयार केलेल्या अति-पातळ लेड आयोडाइड नॅनोशीट्सचे तांत्रिक नाव 'अणू जाडीचे विस्तृत बँड गॅप द्विमितीय PbI2 क्रिस्टल्स' आहे, जे केवळ काही नॅनोमीटर जाडीचे एक अति-पातळ सेमीकंडक्टर मटेरियल आहे." या शोधनिबंधाचे पहिले लेखक आणि नानजिंग युनिव्हर्सिटी ऑफ टेक्नॉलॉजी येथील पीएचडी उमेदवार, सन यान यांनी सांगितले की, त्यांनी संश्लेषणासाठी सोल्युशन पद्धतीचा वापर केला, ज्यासाठी खूप कमी उपकरणांची आवश्यकता असते आणि ती सोपी, जलद व कार्यक्षम असण्याचे फायदे देते, तसेच मोठ्या क्षेत्रावरील आणि उच्च-उत्पादनाच्या मटेरियल निर्मितीची गरज पूर्ण करू शकते. संश्लेषित लेड आयोडाइड नॅनोशीट्सचा आकार नियमित त्रिकोणी किंवा षटकोनी असून, सरासरी आकार ६ मायक्रॉन आहे, पृष्ठभाग गुळगुळीत आहे आणि ऑप्टिकल गुणधर्म चांगले आहेत.

संशोधकांनी लेड आयोडाइडच्या या अति-पातळ नॅनोशीटला द्विमितीय संक्रमण धातू सल्फाइड्ससोबत एकत्र केले, कृत्रिमरित्या त्यांची रचना केली, त्यांना एकमेकांवर रचले आणि विविध प्रकारचे हेटरोजंक्शन मिळवले. ऊर्जा पातळ्यांची मांडणी वेगवेगळ्या प्रकारे केलेली असल्यामुळे, लेड आयोडाइडचा वेगवेगळ्या द्विमितीय संक्रमण धातू सल्फाइड्सच्या प्रकाशीय कार्यक्षमतेवर वेगवेगळा परिणाम होऊ शकतो. ही बँड संरचना प्रकाशमान कार्यक्षमता प्रभावीपणे सुधारू शकते, जी डिस्प्ले आणि प्रकाशयोजनेत वापरल्या जाणाऱ्या प्रकाश-उत्सर्जक डायोड (LED) आणि लेझर्ससारख्या उपकरणांच्या निर्मितीसाठी उपयुक्त आहे, आणि तिचा उपयोग फोटोडिटेक्टर्सच्या क्षेत्रातही केला जाऊ शकतो.फोटोव्होल्टेइक उपकरणे.

या यशामुळे अति-पातळ लेड आयोडाइडच्या साहाय्याने द्विमितीय संक्रमण धातू सल्फाइड पदार्थांच्या प्रकाशीय गुणधर्मांचे नियमन साध्य होते. सिलिकॉन-आधारित पदार्थांवर आधारित पारंपरिक ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या तुलनेत, या यशामध्ये लवचिकता, सूक्ष्म आणि नॅनो ही वैशिष्ट्ये आहेत. त्यामुळे, याचा उपयोग लवचिक आणि एकात्मिक उपकरणांच्या निर्मितीसाठी केला जाऊ शकतो.ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणेएकात्मिक सूक्ष्म आणि नॅनो ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या क्षेत्रात याला व्यापक उपयोजनाची शक्यता आहे, आणि हे सौर पेशी, फोटोडिटेक्टर इत्यादींच्या निर्मितीसाठी एक नवीन कल्पना प्रदान करते.